Fraunhofer-Institut für Silicatforschung ISCDie Kombination der Vielfalt von Techniken zur Strukturierung und die sehr gute Haftung auf den unterschiedlichsten Materialien (z. B. Silizium, SiO2, Glas, metallische, oxidische und Low-cost-Polymer-Substrate, wie BT oder FR4) zeigen, dass ORMOCER®-Schichten ausgezeichnet für Anwendungen in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik geeignet sind.
Die Kompatibilität zur herkömmlichen Dünnfilmtechnologie, anspruchslose Verarbeitung (Härtetemperatur < 170 °C unter Normalatmosphäre) und Möglichkeiten der Erzeugung von Mikrostrukturen (z. B. Bumps und Vias) garantieren ein Höchstmaß an Flexibilität und Anpassungsmöglichkeiten an vor Ort vorhandene Technologien, wobei die ORMOCER®-Schichten ein Negativresist-Verhalten zeigen.